供应场效应IGBT

品牌:*童 型号:G23N60UFD.SGF23N60UFD 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:MOS-FBM/全桥组件 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:GE-N-FET锗N沟道 开启电压:600（V） 夹断电压:600（V） 低频跨导:1（μS） *间电容:2（pF） 低频噪声系数:01（dB） *大漏*电流:23（mA） *大耗散功率:250（mW）

公司专营美国、日本、韩国、台湾等世界各名厂家常形； 场效应，肖特基，快恢复，三端稳压，功率管，可控硅，等系列晶体管，货源充足，现货供应。本公司以“品质*、诚信为本”的经营理念，十多年来深受国内外厂家、经销商的信赖和支持。真诚欢迎海内外客户洽谈合作，共谋发展主营厂家:: IR.*童.ST.东芝.NEC.富士通.日立.ON.POWER.英飞凌.APT.飞利浦.IXYS.三肯.三洋.三凌等..