IGBT管600V.G20N60A4D.G30N60A4D

品牌/商标	HAR美国哈里斯半导体	型号/规格	HGTG20N60A4D.G20N60B3D.G30N60B3D.G12N60A4D.G40N60A4.G30N60C3D
种类	结型(JFET)	沟道类型	N沟道
导电方式	耗尽型	用途	MOS-HBM/半桥组件
封装外形	CER-DIP/陶瓷直插	材料	N-FET硅N沟道
开启电压	600（V）	夹断电压	600（V）
跨导	11（μS）	*间电容	1（pF）
低频噪声系数	1（dB）	大漏电流	100（mA）
*大耗散功率	100（mW）