**批发拆机场效应管IRF630,TO-220,ST

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品牌/商标 ST 型号/规格 IRF630
种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插
材料 N-FET硅N沟道 开启电压 2.5(V)
夹断电压 250(V) *间电容 /(pF)
低频噪声系数 /(dB) *大漏*电流 /(mA)
*大耗散功率 /(mW)

IRF630 基本参数. VDSS, 200 V, 9.5 A. RDS(on) Max, 300 mΩ.裕盛电子电话:/长期批发*售TO-220,TO-252,TO251,TO-126,TO-*,等封装的达林顿三*管,普通三*管,音响互补三*管,高压三*管,场效应管,肖特基二*管,快恢复二*管,可控硅,三端稳压,DIP,SOP,QFP等封装的集成电路,价格有优势,*产品都支持支付宝。欢迎查询选购