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半导体过压保护器件
半导体放电管过压保护器件是专门为通讯设施*雷击而设计的,它采用了*的离子注入技术;具有*导通、快速响应、浪涌吸收组能力强、*性高等特点;广泛应用于通讯交换设备、机、XDSL、通讯接口中;以保护其内部的IC免受*过电压的冲击和破坏。
半导体过压保护器件特性:
1、半导体过压保护放电管采用了*的离子注入技术,开启电压的一致性好,明显*气体放电管和压敏电阻。
2、半导体放电管采用了SCR结构,浪涌电流的吸收能力强,明显*TVS瞬态抑制二级管。
3、纳秒(109)级的响应速度
4、无*性、双向保护
5、*性高、寿命长
6、放电管表面贴装(SMA、S*)、和轴向引线封装(DO-41)封装方式
半导体过压保护器件放电管的应用:
1、机、传真机
2、通讯接口(RS232/485/422)、T1/E1
3、程控交换机用户接口电路(SLIC)和数据线
4、XDSL(ADSL、VDSL、HDSL)、MODEM
5、通讯发射设备
6、CATV设备
型号 | 断态电压 | 转折电压 | 通态压降 | 维持电流 | *间电容 | |||
VDRM V | IDRM μA | VS V | IS mA | VT V | IT A | IH mA | CO pF | |
| MAX | TYPE | MAX | MAX |
| MIN | MAX | |
LT-BS2300K | 190 | 5 | 260 | 800 | 4 | 1 | 150 | 60 |
浪拓电子(LangTuo)有限公司系列产品半导体过压保护器件应用涵盖通讯、IT、汽车、电池、安*、消费品电器等领域,可为客户提供*的、*的线路*护解决方案。浪拓公司是国内*全的*雷保护器件制造商之一。