全系列二*管6A10.10A10

地区:广东 广州
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品牌/商标 MIC,GW 型号/规格 6A10,10A10
产品类型 整流管 材料 硅(Si)
封装形式 直插型 封装材料 塑料封装
功率特性 大功率 频率特性 高频
正向直流电流IF 6(A) *高反向电压 1000(V)

整流二*管

 

 

  rectifier diode
  一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常它包含一个PN结,有阳*和阴*两个端子。其结构如图1所示。P区的载流子是空穴,N区的载流子是电子,在P区和N区间形成*的位垒。外加使P区相对N区为正的电压时,位垒降低,位垒两侧附近产生储存载流子,能通过大电流,具有低的电压降(典型值为0.7V),称为正向导通状态。若加相反的电压,使位垒增加,可承受高的反向电压,流过很小的反向电流(称反向漏电流),称为反向阻断状态。整流二*管*的单向导电性,其伏安特性和电路*号如图2所示。整流二*管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二*管的击穿电压高,反向漏电流小,高温性能良好。通常高压大功率整流二*管*高纯单晶硅制造(掺杂较多时容易反向击穿)。这种器件的结面积较大,能通过较大电流(可达上千安),但工作频率不高,一般在几十千赫以下。整流二*管主要用于各种低频半波整流电路,如需*全波整流需连成整流桥使用。

 

  选用整流二*管时,主要应考虑其*大整流电流、*大反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等参数

批量供应全系列整流二*管,品质优良,供货稳定,欢迎洽谈!

品牌/商标

MIC,GW

型号/规格

6A10,10A10

封装形式

直插型

功率特性

大功率

频率特性

高频