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MOSFET耗尽型N沟道20N06

地区：上海上海市

认证：无

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品牌/商标	ON	型号/规格	20N06
封装形式	DPAK	种类	MOSFET
沟道类型	N沟道	导电方式	耗尽型

制造商:
ON SEMICONDU*OR
库存编号:
1459160
制造商编号:
NTD20N06G

RoHS协从产品:Y-Ex

描述

晶体管类型:MOSFET
晶体管*性:N
电压, Vds 典型值:60V
电流, Id 连续:20A
开态电阻, Rds(on):0.0375ohm
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
阈值电压, Vgs th 典型值:2.91V
封装类型:DPAK
表面安装器件:表面安装
功率, Pd:60W
单脉冲雪崩能量 Eas:170mJ
热阻, 结至外壳 A:2.5°C/W
电压, Vds *大:60V
电流, Idm 脉冲:60A
阈值电压, Vgs th :2V
阈值电压, Vgs th *高:4V