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产品属性
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品牌/商标 | TOSHIBA东芝 | 型号/规格 | SS14-SS34 |
产品类型 | 肖特基管 | 结构 | 点接触型 |
材料 | 硅(Si) | 封装形式 | 贴片型 |
封装材料 | 塑料封装 | 功率特性 | 小功率 |
频率特性 | 低频 | 发光颜色 | 其他 |
正向直流电流IF | 100(A) | *高反向电压 | 2(V) |
*销售二*管,价格优惠.肖特基二*管是贵金属(金、银、铝、铂等)A为正*,以N型半导体B为负*,利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子,贵金属中*有*少量的自由电子,所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然,金属A中没有空穴,也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A,B表面电子浓度逐渐降低,表面电中性被破坏,于是就形成势垒,其电场方向为B→A。但在该电场作用之下,A中的电子也会产生从A→B的漂移运动,从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起*宽度的空间电荷区后,电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动*相对的平衡,便形成了肖特基势垒。 典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片,在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳*使用钼或铝等材料制成阻档层。用二氧化硅(SiO2)来消除边缘区域的电场,*管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻,其掺杂浓度较H-层要高100%倍。在基片下边形成N+阴*层,其作用是减小阴*的接触电阻。通过调整结构参数,N型基片和阳*金属之间便形成肖特基势垒,如图所示。当在肖特基势垒两端加上正向偏压(阳*金属接电源正*,N型基片接电源负*)时,肖特基势垒层变窄,其内阻变小;反之,若在肖特基势垒两端加上反向偏压时,肖特基势垒层则变宽,其内阻变大。 综上所述,肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别通常将PN结整流管称作结整流管,而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管,近年来,采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二*管也已问世,这不*可节省贵金属,大幅度降*,还*了参数的一致性。