电磁炉IGBT FGA25N120ANTD TO-* FSC

     飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)的FGA25N120ANTD 1200V NPT沟道IGBT结合*佳的*雪崩能力和经优化的开关和导通损耗性能权衡，能为电磁加热(IH)应用*系统*性和效率。

     FGA25N120ANTD专为微波炉、IH电饭煲和其它IH炊具而设计，与上一代器件相比，它的工作温度可降低达10℃，因而能够延长系统寿命。NPT沟道IGBT采用飞兆半导体的*沟道技术和非穿通型(NPT)技术。这种优化的单元设计和薄型晶圆制造工艺使得FGA25N120ANTD能够耐受*大450mJ的雪崩能量，*在异常的雪崩模式情况下仍能进行无故障运作。

       飞兆半导体功能功率部副总裁Taehoon Kim称：“在电磁加热设备中，不稳定的功率、AC线路浪涌和系统故障会引起雪崩模式情况，导致机器*失效。为了解决IH应用中的这些*性问题，我们的新型1200V NPT沟道IGBT提供业界*佳的*雪崩能力，还同时优化性能方面的权衡，以降低工作温度及*总体系统效率。”

        FGA25N120ANTD的其它特性和系统优势包括：低饱和电压 (VCE(sat), t*=2.0V     IC=25A和TC=25°C)以限制导通损耗；低开关损耗(Eoff, t* = 0.96mJ    IC=25A和TC=25°C)以减少系统功耗；以及内置FRD(*二*管)以简化电路设计和减少元件数。

        FGA25N120ANTD以TO-*无铅封装形式供货，能*甚至**/JEDEC的 J-STD-020B标准要求，并*合现已生效的欧盟标准