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扩散硅压阻式压力传感器(高压) 8系列压力传感器装TAB胶粘式测量元件,十分耐用。甚至受到 压力*大值影响也如此。其*于测量高压。400~1000bar压力范围 的8系列用厚的玻璃引线和丝焊式测量元件。 高灵敏度压阻式硅芯片用于压力感受。由密封的不锈钢外壳(用 同心波纹膜片密封)保护芯片免受外界环境影响。为使膜片上的压力 传到敏感元件,在壳体内灌硅油。 同压力介质接触的*金属件均由不锈钢316L制成。全焊接式外 壳密封成真空。 典型用途:生产过程,航空电子设备,随动操纵装置,机器人技 术…… 耐用的压力传感器 浸在硅油中的压阻式芯片被焊接到不锈钢316L外壳中。 高灵敏度 在*的标准压力范围,以4mA供电电流可得到900mV信号。 适用性 类型:*压和密封式表压。9个标定测量范围(从10到1000bar)。 不同的材料和灌入油(见选用项) 质量 每个压力传感器都经过压力响应与温度特性的补偿试验,都有合格 证书,合格证上说明试验结果和特性。假如用户要求,可作专门试验。 8 系列 技术条件 压力范围(FS)和*压(bar),信号输出(mV) PAA PA 50 信号输出(典型)00 *压 PAA:*压,在真空时为*点 PA:密封式表压:在大气压时*点(在校准日) 电桥电阻25℃ (Ω) 3500 &plu*n;20% 恒电流供电 (mA) 4(标称) 5(*大) *缘50VCC (MΩ) 100 使用温度 (℃) -30…100 -55…150(选用) 补偿范围 (℃) 0…50(1) -10…80(1) 贮存温度 (℃) -40…100 -60…150 振动(20…5000HZ) 20g 耐用性(周期) (FS 25℃) >100×106FS 外壳和膜片 不锈钢,类型316L 密封圈 氟化橡胶(1)iΦ12×1.5mm 注入油 硅油(1) 重量 13g *对体积变化 (25℃) <0.1mm3/FS 电缆(选用) 0.09mm2,12×Φ0.1mm,硅护层 *缘250V,0Φ1.2mm,长度7cm(1) 精度(2) (%FS) 0.5(典型)(1) 1*大 偏移(在25℃) (mA) <20(用22Ω R5补偿(3)) 温度偏差 0…50℃ ─10…80℃ -55…150℃ *点 (mV/℃) <0.10 <0.20 <0.30 灵敏度 (%/℃) <0.01 <0.03 <0.07 长时间稳定性(典型) (mV) 2 3 5 自然频率(谐振) (KHZ) >30 注(1)其它按要求: (2)包括线性,迟滞和重复性,按照过*点的*佳直线计算线性; (3)外部补偿,没提供补偿电位计。 选用项目 -铂或耐蚀镍基合金C-276膜片,镀金膜片 -传感器*为耐蚀镍基合金C-276 -低温油,氟化油、橄榄油 -特性:线性、*压、较低的TC*点 -专门试验 -在100和1000bar之间的*压力范围 -在-55和 150℃之间的*压力范围 -补偿PCB PA-8/8467-1000(1) SN CB330(2) (3)温度 (4)*点 (5)-100 (6)补偿 (7)d*点 -6.9 -50.5 53.6 -30.1 -1.4 2.4 -50.8 57.0 -29.7 -1.0 26.2 -52.1 67.4 -28.7 0.0 50.6 -54.4 79.5 -28.1 0.6 80.2 -57.4 97.5 -27.0 1.6 补偿 R2=510KΩ(8) R4=27.0Ω(1) *点 -1.7mV(9) P (标准大气压) 962mbar(10) 灵敏度 0.795mV/bar(11) (12)(bar) (13)(mV) (14)线性 (15)线性 500.00 395.6 -0.23 -0.18 1000.00 796.7 0.23 0.18 长时间稳定 OK(16) 芯片 2.5(6.1306.02)(17) 激励 4.0mA(18) 500V试验(19) 01.10.97(20)------------------------------------------------------FLOH.LO2F00(20) 每个传感器提供下述数据的计算图表 注: 1. 类型(PA-8),图号(8467),压力传感器的量程(1000bar) 2. 压力传感器顺序号(按需求刻上) 3. 实际试验温度 4. 没有补偿的*点偏移(mV) 5. *点偏移值(mV),用试验电阻(100KΩ),(*系数计算用) 6. *点偏移(mV),用计算的补偿电阻R1或R2 7. 温度*点误差(mV),用补偿电阻R1或R2 8. 补偿电阻R1/R2和R3/R4 9. 用补偿电阻R1/R2和R3/R4时的偏移(用R5补偿电位计进行*点细调) 10. 环境压力,*压传感器(<20bar)的*点基准 11. 压力传感器的灵敏度 12. 压力试验点 13. 压力试验点的信号 14. 线性(通过*点的*佳直线) 15. 线性(*佳直线) 16. 长时间稳定性结果 17. 芯片类型(按需求,硅芯片的标号) 18. 激励(恒电流) 19. 电压*缘试验 20. 试验日期 试验设备 附注: -这里所说的技术条件只适用于恒电流供电,传感器在0.5和4mA之间的电流范围激励,当在恒电压下激励时,*点偏移值保持不变,灵敏度减小约1%/ 5℃ -若放在*端温度中,则补偿电阻有<50ppm/℃温度系数,传感器和电阻可放在不同的温度环境 -传感器可用集成式补偿电阻调整
是
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