FUJI富士IGBT模块(图)

品牌:FUI日本富士通 型号:2*150N-060 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-TPBM/三相桥 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:5（V） 夹断电压:4（V） 低频跨导:10（μS） *间电容:20（pF） 低频噪声系数:1（dB） *大漏*电流:10（mA） *大耗散功率:10（mW）

品牌：富士（FUJI）
产地：日本
型号：2*150N-060
电流：150A
电压：600V
**原装！！！