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2SD850晶体三*管

地区：江苏 常州
认证： 无

常州市亚前电子有限公司

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是否提供加工定制：是品牌：TOSHIBA/东芝型号：2SD850
应用范围：功率击穿电压VCEO：600（V） 集电**大允许电流ICM：3（A）
集电**大耗散功率PCM：65（W） 截止频率fT：3（MHz） 封装形式：TO-3
封装材料：金属封装

Si-NPN 行输出 Vcbo=1500V,Vceo600V,Icm=3A,Pcm=65W,Ft=3Mhz,代换型号:BU208,BU308,BU500,3DD850Q, (带阻尼)

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