单向可控硅, 40TPS12APBF

地区:广东 深圳
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品牌:ADV美国*半导体 型号:40TPS12 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:MOS-ARR/陈列组件 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:1200(V) 夹断电压:1200(V) 低频跨导:1200(μS) *间电容:1200(pF) 低频噪声系数:1200(dB) *大漏*电流:12(mA) *大耗散功率:12(mW)



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