IRF730场效应管J6812

地区:广东 汕头
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王小芸

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品牌/商标 *童 型号/规格 J6812
种类 结型(JFET) 沟道类型 P沟道
导电方式 耗尽型 用途 MW/微波
封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-P-FET锗P沟道
开启电压 1(V) 夹断电压 1(V)
低频跨导 1(μS) *间电容 1(pF)
低频噪声系数 1(dB) *大漏*电流 1(mA)
*大耗散功率 1(mW)

产品名称 型 号封 装价格产品名称 型 号封 装价格
场效应管2SK1101TO-2200.7二*管*R10100TO-2200.5
场效应管2N60TO-2200.6二*管*R10200TO-2200.6
场效应管3N60TO-2200.6二*管*R10150TO-2200.6
场效应管4N60TO-2200.7二*管*R20100TO-2200.65
场效应管5N60TO-2200.8二*管*R20200TO-2200.8
场效应管6N60TO-2201二*管STPS20150TO-2201
场效应管7N60TO-2201.1二*管FCH10A10TO-2200.55
场效应管8N60TO-2201.2二*管FCH10A06TO-2200.55
场效应管9N60TO-2201.2二*管*R2045TO-2200.6
场效应管10N60TO-2201.3二*管*R1545TO-2200.55
场效应管11N60TO-2201.3二*管U840TO-2200.6
场效应管12N60TO-2201.3二*管U820TO-2200.4
场效应管20N60TO-2201.4二*管U860TO-2200.7
场效应管IRF4905TO-2201.4二*管BYQ28-200TO-2200.55
场效应管IRF3205TO-2201.4二*管BYV32-200TO-2200.55
场效应管75N75TO-2200.9二*管*R1620TO-2200.55
场效应管60N06TO-2200.9二*管SF164ATO-2200.55