品牌:SGS法意电子 型号:L6384ED 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:TR/激励、驱动 封装外形:SMD(SO)/表面封装
供应场效应管,半桥驱动器L6384ED
高电压轨600 V
dv / dt的免疫+ - 50第V / nsec全温
范围
驱动电流能力：
四百毫安来源，
六五〇毫安沉
切换时间50/30 nsec上升/下降
与1nF负载
的CMOS /的TTL施密特触发输入
具滞后和下拉
关机输入
*区时间设置
欠压锁定
集成自举二*管
钳位对的Vcc
SO8/MINIDIP包装
L6384ED ST 3500 08+
L6228N ST 1500 08+
L6225N ST 2800 08+
L6225D ST 2800 08+
L6225PD ST 2800 08+
L6207PD ST 1800 08+
