高压瓷介电容器

介电容器：
瓷介电容可分为低压低功率和高压高功率，在低压低功率中又可分为I型（CC型）和II型（*型）。
I型（CC型）特点是体积小， 损耗低，电容对频率，温度稳定性都较高，常用于高频电路。
II型（*型）特点是体积小，损耗大，电容对温度频率，稳定性都较差，常用于低频电路。
CC1型圆片高频瓷介电容
适用于谐振回路及其他电路做温度补偿，耦合，隔直使用。损耗：《0.025*缘电阻：10000mohm 试验电压：200v
允许偏差：5p(+-0.5p) 6-10p(+-1P) 10p以上（J,K,M）温度系数：-PPM/C环境温度：-25—85C 相对湿度：+40C时达96%

*1型圆形瓷片低频电容：
环境温度：-25—85C 相对湿度：+40C时达96%工作电压50V电容范围和允差：101—472 （+-10%） 472-403（+80-- -20%）
CC01圆形瓷片电容：
环境温度：-25—85C 相对湿度：+40C时达96% 大气压力750+-30mmhg允许偏差：5p(+-0.5p) 6-10p(+-1P) 10p以上（J,K,M）
温度系数：1—4P +120(+-60)PPM 4—56P –47(+-60)PPM
56—180P –750(+-250)PPM
180—390P –1300(+-250)PPM
430—820P –3300(+-500)PPM
*01圆形瓷片电容：
环境温度：-25—85C 相对湿度：+40C时达96% 大气压力750+-30mmhg损耗《0.05*缘电阻：1000mohm
允差：+80 -20%容量：1000-47000p
工作电压：63v 试验电压：200v CC10 *频瓷介电容
可用于《500MHZ下，环境温度：-55—85C 相对湿度：+40C时达98% 压力33mmhg 震动强度：加速度10g 冲击：加速度25g 离心：加速度15g
允差：k容量：1-47p工作电压：500v
CC11,*11园片无引线瓷片电容
该电容特为高频头设计，频率特性好。
CC11直流电压：250V标称容量：3—39P损耗：《0.0015 *缘》10000mohm
*11直流电压：160V标称容量：240—1500 *缘》2500mohm
*82,CC82高压高功率瓷片电容：
环境温度：-25—85C 相对湿度：+40C时达98%大气 压力40000PA 震动：加速度15g 冲击：加速度15g额定电压：1—4kv 试验电压：2.5—8kv允差：K,M

独石瓷介电容器：
C*D独石瓷介电容器
环境温度：-55—85C 相对湿度：+40C时达98% 大气压力666.6PA损耗《15*10(-4)容量：100-100000p工作电压：40v 试验电压：120v
*4D独石瓷介电容器
环境温度：-55—85C 相对湿度：+40C时达98% 大气压力1000PA损耗《0.035容量：0.033-2.2uf工作电压：40v-100v 试验电压：3UW允差：+80-20%
CC2,*2管形瓷介电容器
与片形瓷介电容相比，机械强度高，用作旁路时内电*屏蔽性能好，用在高频电阻杂散耦合好，缺点是固有谐振频率低，制造工艺复杂，产量低。
*2 损耗《0.04*缘电阻<1000mohm 试验电压：480v
使用条件：-55—85c相对湿度：40C时达98% CC3,C*D型叠片瓷介电容器C*F型方形叠片瓷片电容器
CC3损耗《0.0015 容量：33-1000P 允差：K,M 工作电压：100V
C*D损耗《0.035 容量：470-33000P 允差：+80-20% 工作电压：250V
C*F损耗《0.04 容量：1P 允差：+80-20% 工作电压：160V
CC53,CC52,*53,*52穿心式瓷介电容
该类电容使用于VHF,UHF调谐器和其他无线电设备中做高低频旁路滤波用。
CC52E-1C 容量：2-3*工作电压：63V *缘电阻：10000mohm损耗：《0.0015
CC53-2C 容量：1000-1500P工作电压：160V *缘电阻：1000mohm损耗《0.035
*87鼓形高压低频瓷介电容器,该电容主要使用于电子设备的脉冲电路。CC87-1 容量：470P工作电压：10KV *缘电阻：10000mohm
CCG81型板形高功率瓷介电容：使用于大功率高频电子设备中。容量：1000P 工作电压20KV(高频15KV) 额定无功功率：100KVA*大电流：25A *大重量：1.3KG