CL233(MEB) 高耐压无感金属化薄膜电容-深圳电容器生产厂家

地区:广东 深圳
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塑胶外壳CL233(MEB) 高耐压无感金属化薄膜电容-深圳电容器生产厂家

引用标准:GB7332 (IEC60384-2)

气候类别:40/100/21

额定电压:100VDC-250Vdc-400Vdc-630Vdc

容量范围:0. 001μF~10μF

容量偏差:&plu*n;5%(J);&plu*n;10%(k)

耐电压:1.6UR(5s)

工作温度:-40~ 100

损耗角正切:1.0%(201kHZ)

*缘电阻:≥15000MΩ ;C≤0.33μF, ≥5000MΩ ;C more than 0.33μF;

(20,100v 1min)

特征用途:

1.盒式塑胶外壳封装,单向引出线

2.无感式结构及良好的自愈特性

3.*缘电阻高,容量稳定性好

4.适用于直流和脉冲电路,广泛用于广播电视新产品,邮电通信设备,数据处理设备及各种电子仪器中。

 

品牌:创硕达(CSD)

 

 

 

品牌

CSD(创硕达)

型号

CL233(MEB)

介质材料

*薄膜

应用范围

耦合

外形

方块状

功率特性

小功率

频率特性

中频

调节方式

固定

引线类型

同向引出线

允许偏差

&plu*n;10(%)

耐压值

1000(V)

标称容量

0. 001μF~10μF(uF)

损耗

≤1.0%(20℃ 1kHZ)

额定电压

100VDC-250Vdc-400Vdc-630Vdc(V)