高金属化聚丙烯薄膜电容器安规X2105K

品牌:CSD创硕达 型号:X2安规电容 介质材料:*薄膜 应用范围:旁路 外形:长方形 功率特性:*率 频率特性:高频 调节方式:固定 引线类型:同向引出线 允许偏差:&plu*n;10（%） 耐压值:2000（V） 标称容量:0.0047～4.7UF（uF） 损耗:≦1.0%（20℃1KHZ） 额定电压:250/275VAC（V）

*金属化聚丙烯薄膜电容器安规X2105K

引用标准:IEC384-14,EN132400,GB/14472,UL1283UL1414

气候类别:40/110/56

额定电压：250/275Vac

容量范围：0.0047μF～4.7μF

容量偏差:&plu*n;10%(k);&plu*n;20%(m);

耐电压:

Between terminals:2100Vdc(1s).C≤1.0uf ;1800Vdc(1s).c＞1.0uf

Between terminals to case:2050Vac(2S)

工作温度:-40℃～+110℃

损耗角正切:≤0.1%(20℃1kHZ)

*缘电阻:≥15000MΩ;C≤0.33μF,≥5000MΩ;C＞0.3μF;100v 1min

特征用途：

1. 盒式塑胶外壳封装，单向引出线
2. 无感式结构及良好的自愈特性，*性和抑制干扰特*
3. 适应于跨接电源，旁路电路耦合，飞狐电路，EMI滤波，开关电源，电动工具及其他有*需求，抑制干扰要求的电子线路和电子设备中。