高金属化聚丙烯薄膜电容器安规X2105K

地区:广东 深圳
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品牌:CSD创硕达 型号:X2安规电容 介质材料:*薄膜 应用范围:旁路 外形:长方形 功率特性:*率 频率特性:高频 调节方式:固定 引线类型:同向引出线 允许偏差:&plu*n;10(%) 耐压值:2000(V) 标称容量:0.0047~4.7UF(uF) 损耗:≦1.0%(20℃1KHZ) 额定电压:250/275VAC(V)

*金属化聚丙烯薄膜电容器安规X2105K

引用标准:IEC384-14,EN132400,GB/14472,UL1283UL1414

气候类别:40/110/56

额定电压250/275Vac

容量范围0.0047μF4.7μF

容量偏差:&plu*n;10%(k);&plu*n;20%(m);

耐电压:

Between terminals:2100Vdc(1s).C1.0uf ;1800Vdc(1s).c1.0uf

Between terminals to case:2050Vac(2S)

工作温度:-40℃~+110

损耗角正切:0.1%(201kHZ)

*缘电阻:15000MΩ;C0.33μF,5000MΩ;C>0.3μF;100v 1min

特征用途:

  1. 盒式塑胶外壳封装,单向引出线
  2. 无感式结构及良好的自愈特性,*性和抑制干扰特*
  3. 适应于跨接电源,旁路电路耦合,飞狐电路,EMI滤波,开关电源,电动工具及其他有*需求,抑制干扰要求的电子线路和电子设备中。