X2EMI滤波电容器.

品牌:CSD 型号:X2安规滤波电容 介质材料:*薄膜 应用范围:滤波 外形:长方形 调节方式:固定 引线类型:同向引出线 允许偏差:&plu*n;10（%） 耐压值:3000（V） 损耗:MAX 0.0001 额定电压:250/275/310Vac（V）

X2EMI滤波电容器.
一般技术资料
介质:聚丙烯膜
导电金属:铝层采用真空镀在膜上
卷绕方式:无感应式.
导线:Tinned wire.
保护材料:
塑胶外壳，环氧树脂灌注.
盒式材料和环氧树脂是阻燃*火材料UL 94V-0
印字:
生产商logo,序列号,容量,误差, 相关文挡:lEC384-14 2nd Edition 1993
工作温度范围:-40 to +110^oC

电气特性
额定电压(Vr):275Vac;50/60Hz
容量变化:4700pFto 1.0 p f
容量值:E12series(IEC 63 Norm).
容量误差(测量于 1 kHz)
&plu*n;5%(J); &plu*n;10%(K); &plu*n;20% (M).
损耗因素(DF):≤0.3% at 10KHZ/20^oC
耐电压:
Applied 1,200 Vac for 60 sec or 2,100 Vdc for 1 sec

认证号
*缘*阻:
测试条件
温度:20&plu*n;5^oC
充电时间:l min
充电电压: 100Vdc
性能
≥3 x 104m Ωfor C≤0.33μF
≥1×104mΩfor C≤0.33 μF