半导体放电管

一、特点：
专为通信设备*雷电及其它瞬态过电压损害而设计；
可控硅结构、性能*于气体放电管、压敏电阻及TVS二*管；
双向浪涌电流吸收，纳秒级反应速度（<1NS），无限重复；
启动电压5V－550V，*冲击电流50A－3000A
低寄生电容*的导通电压，具有单芯片、双芯片及三芯片3端子平衡型。

二、应用：
P0300EA P0080EA 通讯接口（RS232/485/488）*护
P0640EA P0641SA SLIC，TI/EI*护
P2300EAISDN*护
P2600EA P3100EA P3500EA 电话机、传真机、调制解调器的*护
P1001SC 程控机用户电路
P3203AB 通讯发射设备*雷