品牌:ST（意法） 型号:STP25NM60N 种类:结型(JFET) 沟道类型:P沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-INM/*组件 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:650（V） 夹断电压:500（V） 低频跨导:1（μS） *间电容:1（pF） 低频噪声系数:1（dB） *大漏*电流:1（mA） *大耗散功率:125（mW）
型号：STP25NM60N
品牌：ST（意法半导体）
封装：TO-220
现货库存数量：10000pcs
原装现货 长期供应
联系人：吴/
