品牌:IR美国国际整流器公司 型号:IRF5305PBF 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:P沟道 导电方式:增强型 用途:HF/高频(射频)放大 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:GE-P-FET锗P沟道 开启电压:-55（V） 夹断电压:55（V） 低频跨导:标准（μS） *间电容:标准（pF） 低频噪声系数:标准（dB） *大漏*电流:标准（mA） *大耗散功率:标准（mW）
制造商: INTERNATIONAL RE*IFIER 制造商编号: IRF5305PBF 描述
- 晶体管*性:P沟道
- 漏*电流, Id *大值:-31A
- 电压, Vds *大:55V
- 开态电阻, Rds(on):0.06ohm
- 电压 @ Rds测量:-10V
- 电压, Vgs *高:-4V
- 功耗:110W
- 封装类型:TO-220AB
- 针脚数:3
- 功率, Pd:110W
- 器件标记:IRF5305
- 封装类型:TO-220AB
- 引脚节距:2.54mm
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 热阻, 结至外壳 A:1.4°C/W
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V
- 电压, Vds:55V
- 电压, Vds 典型值:-55V
- 电流, Id 连续:31A
- 电流, Idm 脉冲:110A
- 表面安装器件:通孔安装
- 针脚格式:1 g
- 2 d/tab
- 3 s
- 针脚配置:a
- 阈值电压, Vgs th 典型值:-4V
