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产品属性
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产品型号:TK75A06K3
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60
夹断电压VGS(V):±20
最大漏极电流Id(A):75
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.0055 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):35
极间电容Ciss(PF):4500
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s):
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):103
温度(℃): -55 ~150
描述:60V,75A MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS IV)
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3、:4006262666
4、Q
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P-DIT/塑料双列直插
TK75A06K3,TO-220F,DIP/MOS,N场,60V ,75A,0.0055Ω
N-FET硅N沟道
S/开关
Toshiba/东芝
N沟道
绝缘栅(MOSFET)
增强型