场效应管 TK75A06K3,TK70A06J1

地区:广东 深圳
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产品型号:TK75A06K3

封装:TO-220F

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60

夹断电压VGS(V):±20

最大漏极电流Id(A):75

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.0055 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):35

极间电容Ciss(PF):4500

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s):

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):103

温度(℃): -55 ~150

描述:60V,75A MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS IV)

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现货经营(小)

 

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

型号/规格

TK75A06K3,TO-220F,DIP/MOS,N场,60V ,75A,0.0055Ω

材料

N-FET硅N沟道

用途

S/开关

品牌/商标

Toshiba/东芝

沟道类型

N沟道

种类

绝缘栅(MOSFET)

导电方式

增强型