场效应管 2SK3518-01MR K3518

地区:广东 深圳
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MOS管,广泛应用于电池充电器,普通电源,智能开关电源,灯具
功率开关,LED,车载,玩具,电动车,电脑主板.

2SK3518-01MR,TO-220F,FUJ,DIP/MOS,N场,500V,6A,1.5Ω

2SK3563,TO-220F,TOSHIBA,DIP/MOS,N场,500V,5A,1.5Ω
2SK2876-01MR,TO-220F,FUJ,DIP/MOS,N场,500V,6A
FMV08N50E,TO-220F,FUJ,DIP/MOS,N场,500V,7.5A
FMV07N50E,TO-220F,FUJ,DIP/MOS,N场,500V,6.5A
FMV05N50E,TO-220F,FUJ,DIP/MOS,N场,500V,5A,1.5Ω
2SK3520-01MR,TO-220F,FUJ,DIP/MOS,N场,500V,8A,0.85Ω
2SK3518-01MR,TO-220F,FUJ,DIP/MOS,N场,500V,6A,1.5Ω
2SK3563 TO-220F TOSHIBA DIP/MOS N场 500V 5A 1.5Ω
TK8A50DA,TO-220F,TOSHIBA,DIP/MOS,N场,500V,7.5A,1.04Ω
2SK3561 TO-220F定型脚 06NPB TOSHIBA DIP/MOS N场 500V 8A 0.85Ω
TK8A50D,TO-220F TOSHIBA DIP/MOS N场 500V 8A 0.85Ω
2SK3563, TO-220F TOSHIBA DIP/MOS N场 500V 5A 1.5Ω
仓库 a

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漏极电流

24A

材料

N-FET硅N沟道

种类

绝缘栅(MOSFET)

型号/规格

2SK3518-01MR

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

开启电压

5

品牌/商标

FJD日本富士电机

用途

S/开关

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

极间电容

675