场效应管 SSM6K411TU,KNH

SSM6K411TU,TOSHIBA,SOT-323-6,SMD/MOS,N场,20V,10A,0.012Ω

TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type

应用:
 * 电源管理开关应用
 * 高速开关应用

特点：
 * 2.5V驱动器
 * 低导通电阻：RDS(ON) = 23.8 mΩ (max) (@VGS = 2.5 V)
             ：RDS(ON) = 14.3 mΩ (max) (@VGS = 3.5 V)
             ：RDS(ON) = 12 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V

产品型号:SSM6K411TU

封装:SOT-323-6

品牌：TOSHIBA/东芝

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20

夹断电压VGS(V):±12

最大漏极电流Id(A):10

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.012 @VGS = 4.5 V

开启电压VGS(TH)(V):1.2

功率PD(W):1

输入电容Ciss(PF):710 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：13

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):

导通延迟时间Td(on)(ns):32 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):23 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:SSM6K411TU,20V,10A N-沟道增强型场效应晶体管

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