场效应管 TK7A65D,TK8A65D

TK7A65D,TO-220F,DIP/MOS,N场,650V,7A,0.98Ω

TK8A65D,TO-220F,DIP/MOS,N场,650V,8A,0.84Ω

产品型号:TK7A65D

封装:TO-220F

标记:K7A65D

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):650

夹断电压VGS(V):±30

最大漏极电流Id(A):7

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.98 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):45

输入电容Ciss(PF):1200 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：4.5

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):273

导通延迟时间Td(on)(ns):60 typ.

上升时间Tr(ns):25 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):100 typ.

下降时间Tf(ns):12 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:650V,7A N-沟道增强型场效应晶体管
Switching Regulator Applications

产品型号:TK8A65D

封装:TO-220F

标记:K8A65D

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):650

夹断电压VGS(V):±30

最大漏极电流Id(A):8

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.84 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):45

输入电容Ciss(PF):1350 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：4.5

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):416

导通延迟时间Td(on)(ns):50 typ.

上升时间Tr(ns):22 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):100 typ.

下降时间Tf(ns):15 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:650V,8A N-沟道增强型场效应晶体管
Switching Regulator Applications

(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)