场效应管 BSC0921NDI BSC0923NDI

产品型号:BSC0921NDI
Dual N-Channel OptiMOS MOSFET

特点
 * 双N沟道OptiMOS?MOSFET
 * 优化的高性能降压转换器
 * 逻辑电平（4.5V额定）
 * 符合到JEDEC1）为目标的应用
 * 无铅引脚电镀，符合RoHS
 * 无卤素根据IEC61249-2-21

封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8

品牌：INFINEON/英飞凌

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30V/30V

夹断电压VGS(V):±20

最大漏极电流Id(A):40A/40A

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.005/0.0016 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):2

功率PD(W):2.5

输入电容Ciss(PF):700/2700 typ.

通道极性:双N沟道

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):12/60

导通延迟时间Td(on)(ns):1.8/5 typ.

上升时间Tr(ns):3.4/5 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):12/25 typ.

下降时间Tf(ns):2.4/3.6 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:BSC0921NDI,30V/30V,40A/40A,0.005Ω 双N-沟道增强型场效应晶体管

-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

产品型号:BSC0923NDI
Dual N-Channel OptiMOS MOSFET

特点
 * 双N沟道OptiMOS?MOSFET
 * 优化的高性能降压转换器
 * 逻辑电平（4.5V额定）
 * 100％雪崩测试
 * 符合到JEDEC1）为目标的应用
 * 无铅引脚电镀，符合RoHS
 * 无卤素根据IEC61249-2-21

封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8

品牌：INFINEON/英飞凌

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30V/30V

夹断电压VGS(V):±20

最大漏极电流Id(A):40A/40A

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.005/0.0028 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):2

功率PD(W):2.5

输入电容Ciss(PF):870/1500 typ.

通道极性:双N沟道

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):9/20

导通延迟时间Td(on)(ns):4.7/4.1 typ.

上升时间Tr(ns):3.8/3.6 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):17/19 typ.

下降时间Tf(ns):3/2.6 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:BSC0923NDI,30V/30V,40A/40A,0.005Ω 双N-沟道增强型场效应晶体管

深圳市金城微零件有限公司                                  
地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E
专业经营：各种三极管、场效应管、可控硅、稳压ＩＣ、开关电源IC、肖特基、IGBT等
企业网站:https://www.chinajincheng.com
企业Q
(产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\下载.)