场效应管 FMV16N50E,16N50E,FMV16N50

产品型号:FMV16N50E

封装:TO-220F

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500

夹断电压VGS(V): 30/-30

最大漏极电流Id(A):16

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.38 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):3.5

功率PD(W):80

极间电容Ciss(PF):2150

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：17

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):485

温度(℃): -55 ~150

描述:500V,16A  N-Channel Power MOSFET

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