场效应管 BSC190N15NS3G,190N15NS

产品型号:BSC190N15NS3G

封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):150

夹断电压VGS(V):±20

雪崩能量EAS(mJ):170

最大漏极电流Id(A):50

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.019 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):125

极间电容Ciss(PF):1820

通道极性:N通道

低频跨导gFS(s)：57

温度(℃): -55 ~150

描述:150V,50A, N-channel OptiMOS Power-MOSFET