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N-CHANNEL 30V - 0.0026 W -100A D²PAK/I²PAK/TO-220
STripFET™ II POWER MOSFET
这是功率MOSFET的最新发展STMicroelectronis独特“单一功能SizeTM”脱衣化进程。由此产生的晶体管显示了极高的堆积密度低导通电阻,坚固耐用雪崩特性和不太重要的步骤因此,一个了不起的制造重复性。
应用
大电流,高开关速度
电机控制,音频放大器
DC-DC和DC-AC变换器
电磁阀和继电器驱动器
特点:
典型的RDS(on)= 0.0026Ω
低阈值驱动
100%雪崩测试
逻辑电平器件
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100A
SMD(SO)/表面封装
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N-FET硅N沟道
S/开关
ST/意法
N沟道
绝缘栅(MOSFET)
20V
增强型