场效应管 2SK3305,K3305

2SK3305,TO-220,DIP/MOS,N场,500V,5A,1.5Ω,N-沟道功率MOSFET场效应晶体管
应用:
 * 开关
 * 工业用
特点:
 * 低栅*电荷：QG = 13 nC TYP. (VDD = 400 V, VGS = 10 V, ID = 5.0 A)
 * 门额定电压：&plu*n;30 V
 * 低通态电阻: RDS(on) = 1.5 W MAX. (VGS = 10 V, ID = 2.5 A)
 * 雪崩能力评级

产品型号:2SK3305

封装:TO-220

品牌：TOSHIBA/东芝

源漏*间雪崩电压V(br)dss(V):500

夹断电压VGS(V):&plu*n;30

*大漏*电流Id(A):5

源漏**大导通电阻rDS(on)(Ω):1.5 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):3.5

功率PD(W):75

输入电容Ciss(PF):700 t*.

通道*性:N沟道

低频跨导gFS(s)：3

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):125

导通延迟时间Td(on)(ns):16 t*.

上升时间Tr(ns):3 t*.

关断延迟时间Td(off)(ns):33 t*.

下降时间Tf(ns):5.5 t*.

温度(℃): -55 ~150

描述:2SK3305,500V,5A N-沟道增强型场效应晶体管

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