场效应管 AP25N10GH-HF,25N10GH,AP9997GH

AP25N10GH-HF,SOT-252,SMD/MOS,N场,100V,23A,0.08Ω

产品型号:AP25N10GH-HF
特点：
 * 低栅*电荷
 * 单驱动器要求
 * *合RoHS及无卤素

封装:SOT-252

源漏*间雪崩电压V(br)dss(V):100

夹断电压VGS(V):&plu*n;20

*大漏*电流Id(A):23

源漏**大导通电阻rDS(on)(Ω):0.08 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):96

输入电容Ciss(PF):1060 t*.

通道*性:N沟道

低频跨导gFS(s)：14

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):

导通延迟时间Td(on)(ns):10 t*.

上升时间Tr(ns):28 t*.

关断延迟时间Td(off)(ns):17 t*.

下降时间Tf(ns):2 t*.

温度(℃): -55 ~150

描述:100V,23A N-沟道增强型场效应晶体管

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