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产品属性
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产品型号:RJK0349DPA
特点
* *开关
* 可4.5 V栅*驱动器
* 低驱动电流
* 高密度安装
* 低导通电阻RDS(ON)= 2.4mΩ TYP.(VGS=10V)
* 无铅
封装:QFN-8 5*6/WPAK
源漏*间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):&plu*n;20
*大漏*电流Id(A):45
源漏**大导通电阻rDS(on)(Ω):0.0031 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2.5
功率PD(W):50
输入电容Ciss(PF):3850 t*.
通道*性:N沟道
低频跨导gFS(s):110
单脉冲雪崩能量EAR(mJ):62.5
导通延迟时间Td(on)(ns):11 t*.
上升时间Tr(ns):6.5 t*.
关断延迟时间Td(off)(ns):58 t*.
下降时间Tf(ns):9.8 t*.
温度(℃): -55 ~150
描述:30V,45A N-沟道增强型场效应晶体管
(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
SMD(SO)/表面封装
RJK0349DPA,QFN-8 5*6/WPAK,SMD/MOS,N场,30V,45A,0.0031Ω
N-FET硅N沟道
S/开关
REN*AS/瑞萨
N沟道
*缘栅(MOSFET)
增强型