场效应管 RJK0349DPA,RJK0348DPA

地区:广东 深圳
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产品型号:RJK0349DPA
特点
 * *开关
 * 可4.5 V栅*驱动器
 * 低驱动电流
 * 高密度安装
 * 低导通电阻RDS(ON)= 2.4mΩ TYP.(VGS=10V)
 * 无铅

封装:QFN-8 5*6/WPAK

源漏*间雪崩电压V(br)dss(V):30

夹断电压VGS(V):&plu*n;20

*大漏*电流Id(A):45

源漏**大导通电阻rDS(on)(Ω):0.0031 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):2.5

功率PD(W):50

输入电容Ciss(PF):3850 t*.

通道*性:N沟道

低频跨导gFS(s):110

单脉冲雪崩能量EAR(mJ):62.5

导通延迟时间Td(on)(ns):11 t*.

上升时间Tr(ns):6.5 t*.

关断延迟时间Td(off)(ns):58 t*.

下降时间Tf(ns):9.8 t*.

温度(℃): -55 ~150

描述:30V,45A N-沟道增强型场效应晶体管


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封装外形

SMD(SO)/表面封装

型号/规格

RJK0349DPA,QFN-8 5*6/WPAK,SMD/MOS,N场,30V,45A,0.0031Ω

材料

N-FET硅N沟道

用途

S/开关

品牌/商标

REN*AS/瑞萨

沟道类型

N沟道

种类

*缘栅(MOSFET)

导电方式

增强型