场效应管 STB10*50 T4 B10*50

地区:广东 深圳
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产品型号:STB10*50

封装:SOT-263/D2PAK

源漏*间雪崩电压V(br)dss(V):500

夹断电压VGS(V):&plu*n;30

*大漏*电流Id(A):10.6

源漏**大导通电阻rDS(on)(Ω):0.6 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):5

功率PD(W):135

*间电容Ciss(PF):1480

通道*性:N沟道

低频跨导gFS(s):8

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):550

温度(℃): -55 ~150

描述:500V,10.6A Power MOSFET

应用:
大电流,高开关速度
开关模式电源(SMPS)
DC-AC转换器的焊接
设备和不间断
电源和电机驱动器

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漏*电流

10.6A

封装外形

SMD(SO)/表面封装

型号/规格

STB10*50T4,MOS,500V,10.6A,0.6Ω,263

开启电压

5

材料

N-FET硅N沟道

品牌/商标

ST/意法

沟道类型

N沟道

种类

*缘栅(MOSFET)

夹断电压

30

导电方式

增强型