场效应管 RJK0365DPA,RJK0355DPA

产品型号:RJK0365DPA
特点
 * *开关
 * 可4.5 V栅*驱动器
 * 低驱动电流
 * 高密度安装
 * 低导通电阻RDS(ON)= 7.0mΩ TYP.(VGS=10V)
 * 无铅

封装:QFN-8 5*6/WPAK

源漏*间雪崩电压V(br)dss(V):30

夹断电压VGS(V):&plu*n;20

*大漏*电流Id(A):30

源漏**大导通电阻rDS(on)(Ω):0.0091 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):2.5

功率PD(W):30

输入电容Ciss(PF):1180 t*.

通道*性:N沟道

低频跨导gFS(s)：60

单脉冲雪崩能量EAR(mJ):14.4

导通延迟时间Td(on)(ns):5.4 t*.

上升时间Tr(ns):4 t*.

关断延迟时间Td(off)(ns):34 t*.

下降时间Tf(ns):4.3 t*.

温度(℃): -55 ~150

描述:30V,30A N-沟道增强型场效应晶体管

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