场效应管 TPCA8057-H,TPCA8060-H

地区:广东 深圳
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产品型号:TPCA8057-H

封装:PSOP-8

源漏*间雪崩电压V(br)dss(V):30

夹断电压VGS(V):&plu*n;20

*大漏*电流Id(A):42

源漏**大导通电阻rDS(on)(Ω):0.0026 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):2.3

功率PD(W):57

输入电容Ciss(PF):4300 t*.

通道*性:N沟道

低频跨导gFS(s):2.6

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):229

导通延迟时间Td(on)(ns):14 t*.

上升时间Tr(ns):4.3 t*.

关断延迟时间Td(off)(ns):52 t*.

下降时间Tf(ns):6.3 t*.

温度(℃): -55 ~150

描述:30V,42A N-沟道增强型场效应晶体管

封装外形

SMD(SO)/表面封装

型号/规格

TPCA8057-H,QFN-8 5*6,SMD/MOS,N场,30V,42A,0.0026Ω

材料

N-FET硅N沟道

用途

S/开关

品牌/商标

Toshiba/东芝

沟道类型

N沟道

种类

*缘栅(MOSFET)

导电方式

耗尽型