场效应管 MTD1N50E T1N50E MTD1N50

产品型号:MTD1N50E

封装:SOT-252/DPAK

源漏*间雪崩电压V(br)dss(V):500

夹断电压VGS(V):&plu*n;20

*大漏*电流Id(A):1

源漏**大导通电阻rDS(on)(Ω):5 @VGS =10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):40

*间电容Ciss(PF):215

通道*性:N沟道

低频跨导gFS(ms)：0.9

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):45

温度(℃): -55 ~150

描述:500V,1A N-Channel 功率MOSFET

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