场效应管 CEK01N6,CEK01N6G,CEK01N65

地区:广东 深圳
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CEK01N6,TO-92,DIP/MOS,N场,650V,0.3A,15Ω

MOS管,广泛应用于电池充电器,普通电源,智能开关电源,灯具
功率开关,LED,车载,玩具,电动车,电脑主板.
产品型号:CEK01N6

源漏*间雪崩电压V(br)dss(V):650

夹断电压VGS(V):&plu*n;30

*大漏*电流Id(A):0.3

源漏**大导通电阻rDS(on)(Ω):15

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):3.1

*间电容Ciss(PF):140

通道*性:N沟道

封装/温度(℃):TO-92  /-55 ~150

描述:650V, 0.3A N-Channel 功率MOSFET


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品牌/商标

CET/华瑞

型号/规格

CEK01N6,TO-92,DIP/MOS,N场,650V,0.3A,15Ω

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

S/开关

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

材料

N-FET硅N沟道