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产品属性
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产品型号:TK12E60U
封装:TO-220
源漏*间雪崩电压V(br)dss(V):600
夹断电压VGS(V):&plu*n;30
*大漏*电流Id(A):12
源漏**大导通电阻rDS(on)(Ω):0.4 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):5
功率PD(W):144
*间电容Ciss(PF):720
通道*性:N沟道
低频跨导gFS(s):7
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):69
温度(℃): -55 ~150
描述:600V,12A MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)
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3、:4006262666
4、Q
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P-DIT/塑料双列直插
TK12E60U,TO-220,DIP/MOS,N场,600V,12A,0.4Ω
N-FET硅N沟道
S/开关
TOSHIBA/东芝
N沟道
*缘栅(MOSFET)
增强型