供应场效应管 TK12E60U,K12E60U

地区:广东 深圳
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产品型号:TK12E60U

封装:TO-220

源漏*间雪崩电压V(br)dss(V):600

夹断电压VGS(V):&plu*n;30

*大漏*电流Id(A):12

源漏**大导通电阻rDS(on)(Ω):0.4 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):5

功率PD(W):144

*间电容Ciss(PF):720

通道*性:N沟道

低频跨导gFS(s):7

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):69

温度(℃): -55 ~150

描述:600V,12A MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)


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封装外形

P-DIT/塑料双列直插

型号/规格

TK12E60U,TO-220,DIP/MOS,N场,600V,12A,0.4Ω

材料

N-FET硅N沟道

用途

S/开关

品牌/商标

TOSHIBA/东芝

沟道类型

N沟道

种类

*缘栅(MOSFET)

导电方式

增强型