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TI/德州场效应管 CSD17310 CSD17310Q5A

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CSDNPB P-TDSON-8 TI/德州 SMD/MOS N场.9mΩ

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型号	品牌	封装	类型	电压V	电流A	内阻Ω	开启电压V
BSC019N04NSG	infineon	P-TDSON-8	NMOS	40	100	0.019	4
BSC022N03SG	infineon	P-TDSON-8	NMOS	30	100	0.0022	2
BSC024N025SG	infineon	P-TDSON-8	NMOS	25	100	0.0024	2
BSC025N03MSG	infineon	P-TDSON-8	NMOS	30	100	0.0025	2
BSC029N025SG	infineon	P-TDSON-8	NMOS	25	100	0.0029	2
BSC030N03LSG	infineon	P-TDSON-8	NMOS	30	100	0.003	2.2
BSC030N03MSG	infineon	P-TDSON-8	NMOS	30	100	0.003	2
BSC030N04NSG	infineon	P-TDSON-8	NMOS	40	100	0.003	4
BSC032N03SG	infineon	P-TDSON-8	NMOS	30	50	0.0032	2
BSC035N04LSG	infineon	P-TDSON-8	NMOS	40	100	0.0035	2
BSC042N03SG	infineon	P-TDSON-8	NMOS	30	95	0.0042	2
BSC048N025SG	infineon	P-TDSON-8	NMOS	25	89	0.0048	2
BSC050N03LSG	infineon	P-TDSON-8	NMOS	30	80	0.005	2.2
BSC052N03SG	infineon	P-TDSON-8	NMOS	30	80	0.0052	2
BSC054N04NSG	infineon	P-TDSON-8	NMOS	40	81	0.0054	4
BSC059N03SG	infineon	P-TDSON-8	NMOS	30	73	0.0055	2
BSC059N04LSG	infineon	P-TDSON-8	NMOS	40	73	0.0059	2
BSC079N03SG	infineon	P-TDSON-8	NMOS	30	40	0.0079	2
BSC080N03LSG	infineon	P-TDSON-8	NMOS	30	53	0.008	2.2
BSC080N03MSG	infineon	P-TDSON-8	NMOS	30	53	0.008	2
BSC090N03LSG	infineon	P-TDSON-8	NMOS	30	48	0.009	2.2
BSC090N03MSG	infineon	P-TDSON-8	NMOS	30	48	0.009	2
BSC094N03SG	infineon	P-TDSON-8	NMOS	30	35	0.0094	2
BSC100N03LSG	infineon	P-TDSON-8	NMOS	30	44	0.01	2.2
BSC100N03MSG	infineon	P-TDSON-8	NMOS	30	44	0.01	2
BSC119N03SG	infineon	P-TDSON-8	NMOS	30	30	0.0119	2
BSC120N03SG	infineon	P-TDSON-8	NMOS	30	39	0.012	2.2
BSC750N10NDG	infineon	P-TDSON-8	双NMOS	100	13	0.075	4
P0603BK	NIKO	P-TDSON-8	NMOS	30	65	0.006	3
P0903BK	NIKO	P-TDSON-8	NMOS	30	53	0.009	3
STL100NH3LL	ST	P-TDSON-8	NMOS	30	100	0.0035	3
STL150N3LLH5	ST	P-TDSON-8	NMOS	30	150	0.0018	2.2
STL80N4LLF3	ST	P-TDSON-8	NMOS	40	80	0.005	2.2
CSD17307Q5A	TI/德州	P-TDSON-8	NMOS	30	73	0.0084	1.3
CSD17310Q5A	TI/德州	P-TDSON-8	NMOS	30	100	0.0039	1.3
BSO052N03S	infineon	SOP-8	MOS	30	17	0.0052	2
BSZ040N04LSG	infineon	S308	MOS	40	40	0.004	2
BSZ050N03MSG	infineon	S308	MOS	30	40	0.0045	2
BSZ058N03LSG	infineon	S308	MOS	30	40	0.0058	2.2
BSZ058N03MSG	infineon	S308	MOS	30	40	0.005	2
BSZ088N03LSG	infineon	S308	MOS	30	40	0.0088	2.2
BSZ097N04LSG	infineon	S308	MOS	40	40	0.0097	2
BSZ100N03LSG	infineon	S308	MOS	30	40	0.01	2.2
BSZ100N03MSG	infineon	S308	MOS	30	40	0.0091	2
BSZ130N03LSG	infineon	S308	MOS	30	35	0.013	2.2
BSZ165N04NSG	infineon	S308	MOS	40	31	0.0165	4

品牌

TI/德州仪器

型号

CSDV 100A TI/德州

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

UNI/一般用途

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

1.8（V）

夹断电压

10/-8（V）

跨导

-（μS）

*间电容

1560（pF）

低频噪声系数

-（dB）

漏*电流

100A（mA）

耗散功率

3.1W（mW）