场效应管 2SK2765 2SK2765-01 K2765

地区:广东 深圳
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产品型号:2SK2765-01

封装:TO-*

源漏*间雪崩电压V(br)dss(V):800

夹断电压VGS(V):&plu*n;30

*大漏*电流Id(A):7

源漏**大导通电阻rDS(on)(Ω):2 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4.5

功率PD(W):125

*间电容Ciss(PF):900

通道*性:N沟道

低频跨导gFS(s):4

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):267

温度(℃): -55 ~150

描述:800V,7A N-channel MOSFET

应用:
开关调节器
UPS
DC-DC变换器
通用电源功放

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漏*电流

7A

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

型号/规格

2SK2765-01,TO-*,FUJ,DIP/MOS,N场,800V,7A,2Ω

材料

N-FET硅N沟道

品牌/商标

FJD日本富士电机

沟道类型

N沟道

种类

*缘栅(MOSFET)

夹断电压

30

导电方式

增强型

*间电容

900