*快恢复二*管US1A-US1M

地区:江苏 南京
认证:

南京南山半导体有限公司

普通会员

全部产品 进入商铺
品牌/商标 国产 型号/规格 US1A-US1M
产品类型 快恢复二*管 结构 点接触型
材料 硅(Si) 封装形式 贴片型
封装材料 树脂封装 功率特性 *率
频率特性 中频 发光颜色 电压控制
正向直流电流IF 1(A) *高反向电压 50-1000(V)

*生产二、三*管贴片插件类电子元器件,公司成立至今己有十余年,有自主品牌;产品质量*、价格*,己有固定的客户群(如:美的、海尔电器等),TDD是台源在2007年3月份注册的商标。

该产品适用于开关电源、充电器、逆变器、数码产品、收录机、玩具礼品、机顶盒、导航系统、照明工业、家用电器。

快恢复二*管的内部结构与普通二*管不同,它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I,构成P-I-N硅片。由于基区很薄,反向恢复电荷很小,不*大大减小了trr值,还降低了瞬态正向压降,使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二*管的反向恢复时间一般为几百纳秒,正向压降约为0.6V,正向电流是几安培至几千安培,反向峰值电压可达几百到几千伏。*快恢复二*管的反向恢复电荷进一步减小,使其trr可*几十纳秒。

工作电流有3A,电压有50V-1000V。其型号有S3A S3B S3D S3G S3G S3J S3K S3M  封装有DO-214AA和DO-214AC两种,每盘3K或5K包装量

品牌/商标

国产

型号/规格

US1A-US1M

封装形式

贴片型

功率特性

*率

频率特性

中频