新品优势供应CREE新型的Z-FET? 碳化硅MOSFET -CMF20120D
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Cree 新型的 Z-FET™ 碳化硅 MOSFET 具有出众的能效,应用的范围更为广泛。
Z-FET™ CMF20120D — Industry’s First SiC MOSFET (业界*碳化硅MOSFET)
Attain record efficiencies with significant reliability improvement over competing Si devices.
"VDS:1200 V RDS:80 mΩ ID(MAX):33A
- High-speed switching
- Low capacitances
- Only 20% increase in RDS(ON)
over operating temperature range- Easy to parallel
- 在同类产品中的开关损耗。
能够与世界*的效率显着较高的开关频率。
降低磁性元件和过滤器的大小显着减少冷却要求。
*合RoHS,REACH法规和卤素无兼容碳化硅MOSFET应用在电力电子
Cree的CMF20120D是能源效率是*的的高电压应用的理想选择。太阳能逆变器碳化硅MOSFET的升压和逆变器的DC - AC转换器可以使用的例子。下降*过30%的SiC MOSFET的开关损耗;与Cree的碳化硅结势垒肖特基二*管相结合,整个系统的效率已经证明> 99%。
CREE/科锐
CMF20120
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
SW-REG/开关电源
CER-DIP/陶瓷直插
1200(V)
1200(V)
33000(mA)
150000(mW)