E*60N06A TO-252

地区:广东 深圳
认证:

深圳市嘉威创盈科技有限公司

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N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary:
BVDSS 60V
RDSON (MAX.) 60mΩ
ID 12A    

UIS, Rg 100% Tested
Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    

                                            

*ulse width limited by maximum junction temperature.
Ordering & Marking Information:
Device Name: E*60N06A for DPAK (TO‐252)    

品牌/商标

EMC/义隆

型号/规格

E*60N06A

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

SW-REG/开关电源

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

3.2(V)

夹断电压

60(V)

跨导

19000(μS)

*间电容

53(pF)

漏*电流

48000(mA)

耗散功率

20000(mW)