双*晶体管
地区：广东 深圳
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| 双*晶体管 | ||||
| 型号 | 制造商 | 描述 | 技术规格 | |
| 2N5550G | ON Semiconductor | 2N5550G（每包一个，订购一个） | hfe @ | 60（*小值） |
| IC*大 | 0.6A | |||
| PD *大 | 0.625W | |||
| VCEO*大 | 140V | |||
| 封装 | TO92 | |||
| *性 | NPN | |||
| 类型 | 小信号 | |||
| 频率 MHz | 100 → 300 | |||
| M*T5551LT1G | ON Semiconductor | 晶体管，NPN，表面安装，低信号，M*T5551LT1（每包10个，*少订购10个） | hfe @ | 15 → 60 |
| IC*大 | 0.6A | |||
| PD *大 | 300W | |||
| VCEO*大 | 160V | |||
| 封装 | SOT23 | |||
| *性 | NPN | |||
| 类型 | 小信号 | |||
| S*TA42 | Infineon | 晶体管,双*性,NPN,表面安装,S*TA42（每包10个，*少订购10个） | hfe @ | 40（*小值） |
| IC*大 | 0.5A | |||
| PD *大 | 0.36W | |||
| VCEO*大 | 300V | |||
| 封装 | SOT23 | |||
| *性 | NPN | |||
| 类型 | 小信号 | |||
| 频率 MHz | 50 | |||
| BUT30V | STMicroelectronics | 晶体管,双*性,NPN,BUT30V（每包一个，订购一个） | hfe @ | 27 |
| IC*大 | 100A | |||
| PD *大 | 250W | |||
| VCEO*大 | 30V | |||
| 封装 | ISOTOP | |||
| *性 | NPN | |||
| 类型 | 隔离封装 | |||
| BUX86P | NXP | 晶体管,双*性,NPN,BUX86P（每包一个，订购一个） | hfe @ | 50 |
| IC*大 | 0.5A | |||
| PD *大 | 20W | |||
| VCEO*大 | 400V | |||
| 封装 | SOT82 | |||
| *性 | NPN | |||
| 类型 | 功率 | |||
| 频率 MHz | 20 | |||
| MPSA42 | STMicroelectronics | 晶体管,双*性,NPN,MPSA42（每包5个，*少订购5个） | hfe @ | 40（*小值） |
| IC*大 | 0.5A | |||
| PD *大 | 0.625W | |||
| VCEO*大 | 300V | |||
| 封装 | TO92 | |||
| *性 | NPN | |||
| 类型 | 小信号 | |||
| 频率 MHz | 50 | |||
| MJE4343G | ON Semiconductor | 晶体管，双*，NPN，MJE4343（每包一个，订购一个） | hfe @ | 15 → 35 |
| IC*大 | 16A | |||
| PD *大 | 125W | |||
| VCEO*大 | 160V | |||
| 封装 | TO218 | |||
| *性 | NPN | |||
| 类型 | 功率 | |||
| 频率 MHz | 1 | |||
| BUL416 | STMicroelectronics | 晶体管,双*性,NPN,BUL416（每包一个，订购一个） | hfe @ | 12 → 40 |
| IC*大 | 6A | |||
| PD *大 | 85W | |||
| VCEO*大 | 800V | |||
| 封装 | TO220AB | |||
| *性 | NPN | |||
| 类型 | 功率 | |||
| 2SC3153 | Magnatec | 晶体管，双*，NPN，2SC3153（每包一个，订购一个） | hfe @ | 10 → 40 |
| IC*大 | 6A | |||
| PD *大 | 0.1W | |||
| VCEO*大 | 800V | |||
| 封装 | TO* | |||
| *性 | NPN | |||
| 类型 | 功率 | |||
| 频率 MHz | 15 | |||
