供应高压整流二*管
地区:福建 厦门
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无
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便携式通信,计算机和视频设备的市场挑战半导体业发展越来越小的电子元件。 今天,紧凑型电子系统设计人员正面临着电路板空间的限制,进一步推动替代封装技术的要求。 功能集成和小型化是成功的关键! .小信号0603,1005和1206芯片二*管是无铅与铜/镍/金镀终止,而其他包(形状记忆合金,中小企业,校董会,1408,1607,2010,2419,604 NSOIC,16L型NSOIC,SOT23封装,采用SOT23 - 6,16L型WSOIC)使用100%锡端子。 *Bourns公司二*管兼容无铅制造工艺,*合许多行业和无铅元件的*法规。 伯恩斯®芯片二*管*合JEDEC标准,是很容易处理的标准取放设备和自己的单位配置*小折叠。
系列 | CD214A-R1xxCD214A - R1xx | CD21*-R2xxCD21* - R2xx | CD21*-R3xxCD21* - R3xx | CD214C-R3xxCD214C - R3xx | CD1408-R1xxCD1408 - R1xx |
产品图片 | |||||
T*e类型 | High Voltage Rectifier Diodes高压整流二*管 | High Voltage Rectifier Diodes高压整流二*管 | High Voltage Rectifier Diodes高压整流二*管 | High Voltage Rectifier Diodes高压整流二*管 | High Voltage Rectifier Diodes高压整流二*管 |
Repetitive Peak Reverse Voltage Symbol: VRRM/ unit: V重复峰值反向电压代号:V无线资源管理/单位:V | 50-200050-2000 | 50-100050-1000 | 50-100050-1000 | 50-100050-1000 | 200-1000200-1000 |
Reverse Voltage Symbol: VR/ unit: V反向电压*号:VR的/单位:V | 50-200050-2000 | 50-100050-1000 | 50-100050-1000 | 50-100050-1000 | 200-1000200-1000 |
Average Forward Current Symbol: IO/ unit: A平均正向电流*号:我的O/单位:阿 | 11 | 11 | 22 | 33 | 11 |
Peak Forward Surge Current** Symbol: IFSM/ unit: A峰值正向浪涌电流***号:我密克罗尼西亚/单位:阿 | 25/3025/30 | 6565 | 6565 | 100100 | 3030 |
RoHS Compliant*合RoHS | CD214A (SMA) PackageCD214A(SMA)的包装 | CD21* (S*) PackageCD21*(S*)的包装 | CD21* (S*) PackageCD21*(S*)的包装 | CD214C (SMC) PackageCD214C(校董会)封装 | CD1408CD1408 |
Absolute Ratings*对评分 | Electrical Characteristics (@ TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) SMA, S*, SMC Package电气特性(@*= 25℃,除非另有说明)形状记忆合金,中小企业,SMC封装 | Electrical Characteristics (@ TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) SMA, S*, SMC Package电气特性(@*= 25℃,除非另有说明)形状记忆合金,中小企业,SMC封装 | Electrical Characteristics (@ TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) SMA, S*, SMC Package电气特性(@*= 25℃,除非另有说明)形状记忆合金,中小企业,SMC封装 | Electrical Characteristics (@ TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) SMA, S*, SMC Package电气特性(@*= 25℃,除非另有说明)形状记忆合金,中小企业,SMC封装 | Electrical Characteristics (@ TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 1408 Package电气特性(@*= 25℃,除非另有说明)1408包 |