BT169G-单向可控硅-晶闸管-灵敏触发可控硅
地区：上海 上海市
认证：
无
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产品属性
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■用 途
广泛应用于脉冲点火器、负离子发生器、漏电保护器、小型马达控制器、灯具继电器激励器等功率控制线路。
■特 征
开关参数优良，输出电压高，通态压降低，触发特性灵敏一致，*性高。
■封装形式
TO-92、SOT-23、SOT-23-3L
■参照型■*限值
名称 | * 号 | 规范值 | 单 位 | 测 试 条 件 |
断态重复峰值电压 | VDRM | 400/600 | V | IDRM=20μA |
反向重复峰值电压 | VRRM | 400/600 | V | IDRM=20μA |
通态方均根电流 | IT(RMS) | 1 | A | 正弦波，180° |
浪涌电流 | ITSM | 10 | A | 正弦波，60Hz |
结温 | Tj | 125 | ℃ |
|
贮存温度 | Tstg | -40~150 | ℃ |
|
■电特性(Ta=25℃)
名称 | *号 | 测试条件 | *小值 | *大值 | 单位 |
断态重复峰值电流 | IDRM | VD=VDRM | — | 0.1 | mA |
通态电压 | VTM | I=1A | — | 1.5 | V |
维持电流 | IH | VD=12V，IT =20mA | — | 5 | mA |
擎住电流 | IL | VD=12V，IGT =200μA | — | 6 | mA |
门*触发电流 | IGT | VD=12V，RL=100Ω | — | 120 | μA |
门*触发电压 | VGT | VD=12V，RL=100Ω | — | 0.8 | V |
门*不触发电压 | VGD | VD=1/2 VDRM | 0.2 |
| V |
断态电压临界上升率 | dVD/dt | VDM=2/3VDRM，Tj=110℃，Gate open | 10 |
| V/μs |
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