供应MOS场效应管AP50N06

地区:江苏 无锡
认证:

无锡芯朋微电子有限公司

普通会员

全部产品 进入商铺
品牌:无锡芯朋微电子 型号:AP50N06 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型

应用领域

l 直流马达控制

l 螺线管和继电器驱动

l DC-DC转换器

l 自动控制系统

优点

l 易于装配

l 节省空间

l 高功率密度

主要特性

l 典型Rds(on) = 18mΩ

l *高的dv/dt性能

l 100%雪崩测试

l 低内部寄生电容

*限参数

Symbol

Parameter

Value

Units

VDSS

漏源*电压

60

V

ID

连续漏*电流(TJ=25°C)

50

A

IDM

脉冲漏*电流

150

A

VGS

栅源*电压

&plu*n;20

V

EAS

单脉冲雪崩能量

160

mJ

IAR

雪崩电流

50

A

PD

总功率散耗(TJ= 25°C)

131

W

温度因子

0.88

W/°C

TSTGTJ

工作结温及存储温度

-55~+175

°C