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场效应17N80C3

地区：广东 深圳
认证： 无

陈素玲

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品牌：INFINEON/英飞凌型号：17N80C3种类：结型(JFET)
沟道类型：N沟道导电方式：耗尽型用途：A/宽频带放大
封装外形：CER-DIP/陶瓷直插材料：GaAS-FET砷化镓开启电压：30（V）
夹断电压：10（V） 跨导：10（μS） *间电容：30（pF）
低频噪声系数：20（dB） *大漏*电流：1.5（mA） *大耗散功率：3（mW）

17N80C3