大量三*管 A1815

品牌/商标	国产	型号/规格	A1815
应用范围	功率	功率特性	小功率
频率特性	低频	*性	NPN型
结构	点接触型	材料	硅(Si)
封装形式	直插型	封装材料	塑料封装
截止频率fT	0（MHz）	集电**大允许电流ICM	0（A）
集电**大耗散功率PCM	0（W）	营销方式	*
产品性质	*

我以NPN三*管为例为你说明三*管的原理：

*先三*管是由两个P-N结够成，NPN三*管就是两头是N型，中间是P型。N端为电子端，P端为空穴端

在制造三*管时，要把发射区的N型半导体电子浓度做的很大，基区P型半导体做的很薄，当基*的电压大于发射*电压（硅管要大0.7V，锗管要大0.3V）而小于集电*电压时，这时发射区的电子进入基区，进行复合，形成IE；但由于发射区的电子浓度很大，基区又很薄，电子就会穿过反向偏置的集电结到集电区的N型半导体里，形成IC；基区的空穴被复合后，基*的电压又会进行补给，形成IB。