长期大量瞬变抑制二*管P6KE30CA

一、选用指南

1、*先确定被保护电路的*大直流或连续工作电压，电路的额定标准电压和“高端”容限。
2、
TVS的额定反向关断电压V_WM应大于或等于被保护电路的*大工作电压，若选用的V_WM太低，器件有可能进入雪崩状态或因反向漏电流太大影响电路的正常工作。
3、
TVS的*大箝位电压V_C应小于被保护电路的损坏电压。
4、
TVS的*大峰值脉冲功率PW*须大于被保护电路内可能出现的峰值脉冲功率。
5、
在确定了TVS的*大箝位电压后，其峰值脉冲电流应大于瞬态浪涌电流。
6、
对于数据接口电路的保护，*须注意选取尽可能小的电容值C的TVS器件。
7、
带A的TVS二*管比不带A的TVS二*管的离散性要好，在TVS二*管A前面加C的型号表示双向TVS二*管。
8、
直流保护一般选用单向TVS二*管，交流保护一般选用双向TVS二*管，多路保护选用TVS阵列器件，大功率保护选用TVS*保护模块。*情况，如：RS-485和RS-232保护可选用双向TVS二*管或TVS阵列。
9、
TVS二*管可以在-55℃到+150℃之间工作，如果需要TVS在一个变化的温度下工作，由于其反向漏电流ID是随温度的增加而*；功耗随TVS结温度增加而下降，故在选用TVS时应考虑温度变化对其特性的影响。
10、TVS二*管可以串/并应用，串行连接分电压，并行连接分电流。但考虑到TVS的离散性，使用时应尽可能的减少串/并数量。
二、注解
1、V_WM—是TVS*大连续工作的直流或脉冲电压，当这个反向电压加于TVS两*时，它处于反向关断状态，流过它的电流小于或等于其*大反向漏电流I_D。
2、V_BR—是TVS*小的雪崩电压。25℃时，在这个电压之前，保护TVS是不导通的。当TVS流过规定的1mA电流I_R时，加于TVS两*间的电压为其*小击穿电压V_BR。
3、I_T—--测试电流。
4、I_D—--反向漏电流。
5、V_C—当持续时间为20us的脉冲峰值电流I_PP流过TVS时，其两*间出现的*大峰值电压为V_C。它是串联电阻和热温升两者电压上升的组合。
6、I_PP—*大的峰值脉冲电流。
7、C----电容值（pF）。在收/发的总线接口电路里，选取电容值小的TVS器件尤为有利。

二、TVS相关参数及选型

处理瞬时脉冲对器件损害的*好办法是将瞬时电流从敏感器件引开。TVS二*管在线路板上与被保护线路并联，当瞬时电压*过电路正常工作电压后，TVS二*管便发生雪崩，提供给瞬时电流一个*电阻通路，其结果是瞬时电流通过二*管被引开，避开被保护器件，并且在电压恢复正常值之前使被保护回路一直保持截止电压。当瞬时脉冲结束以后，TVS二*管自动回复高阻状态，整个回路进入正常电压。许多器件在承受多次冲击后，其参数及性能会发生退化，而只要工作在限定范围内，二*管将不会发生损坏或退化。

从以上过程可以看出，在选择TVS二*管时，*须注意以下几个参数的选择：
1.*小击穿电压VBR和击穿电流I_R。VBR是TVS*小的击穿电压，在25℃时，低于这个电压TVS是不会发生雪崩的。当TVS流过规定的1mA电流(I_R)时，加于TVS两*的电压为其*小击穿电压V_BR。按TVS的V_BR与标准值的离散程度，可把V_BR分为5%和10%两种。对于5%的V_BR来说，V_WM=0.85VBR；对于10%的V_BR来说，V_WM=0.81VBR。为了满足IEC61000-4-2国际标准，TVS二*管*须*可以处理*小8kV(接触)和15kV(空气)的*D冲击，有的半导体生产厂商在自己的产品上使用了更高的*冲击标准。对于某些有*要求的便携设备应用，设计者可以按需要挑选器件。

2.*大反向漏电流ID和额定反向关断电压V_WM。V_WM这是二*管在正常状态时可承受的电压，此电压应大于或等于被保护电路的正常工作电压，否则二*管会不断截止回路电压；但它又需要尽量与被保护回路的正常工作电压接近，这样才不会在TVS工作以前使整个回路面对过压威胁。当这个额定反向关断电压V_WM加于TVS的两*间时它处于反向关断状态，流过它的电流应小于或等于其*大反向漏电流ID。

3.*大箝位电压V_C和*大峰值脉冲电流I_PP。当持续时间为20mS的脉冲峰值电流I_PP流过TVS时，在其两端出现的*大峰值电压为V_C。V_C、I_PP反映了TVS的浪涌抑制能力。V_C与VBR之比称为箝位因子，一般在1.2~1.4之间。VC是二*管在截止状态提供的电压，也就是在*D冲击状态时通过TVS的电压，它不能大于被保护回路的可承受*限电压，否则器件面临被损伤的危险。

4. P_ppm额定脉冲功率，这是基于*大截止电压和此时的峰值脉冲电流。对于手持设备，一般来说500W的TVS就*了。*大峰值脉冲功耗P_M是TVS能承受的*大峰值脉冲功耗值。在给定的*大箝位电压下，功耗P_M越大，其浪涌电流的承受能力越大。在给定的功耗P_M下，箝位电压V_C越低，其浪涌电流的承受能力越大。另外，峰值脉冲功耗还与脉冲波形、持续时间和环境温度有关。而且，TVS所能承受的瞬态脉冲是不重复的，器件规定的脉冲重复频率(持续时间与间歇时间之比)为0.01%。如果电路内出现重复性脉冲，应考虑脉冲功率的累积，有可能损坏TVS。

5.电容量C。电容量C是由TVS雪崩结截面决定的，是在特定的1MHz频率下测得的。C的大小与TVS的电流承受能力成正比，C太大将使信号衰减。因此，C是数据接口电路选用TVS的重要参数。电容对于数据/信号频率越高的回路，二*管的电容对电路的干扰越大，形成噪声或衰减信号强度，因此需要根据回路的特性来决定所选器件的电容范围。高频回路一般选择电容应尽量小(如L*VS、低电容TVS，电容不大于3pF)，而对电容要求不高的回路电容选择可高于40pF。